Samsung анонсирует первый модуль DDR4




Производительность памяти нового типа - вдвое больше, чем у DDR3

20:48 10.01.2011   |   1651 |  Лукас Мериан |  Computerworld, CША

Рубрика Технологии



В компании Samsung Electronics сообщили о завершении разработки ее первого модуля динамической оперативной памяти DRAM, отвечающего спецификациям DDR4. Как утверждают в Samsung, модуль обладает вдвое большей производительностью, чем имеющаяся на рынке память DDR3, и потребляет на 40% меньше электроэнергии при использовании в ноутбуках.

Новые микросхемы памяти Samsung изготавливаются с помощью литографии в соответствии с технологическим процессом 30 нм — самым передовым из применяемых на сегодня компанией.

Как сообщают в Samsung, благодаря применению новой схемотехнической архитектуры модули DDR4 смогут выполнять операции на скорости от 1,6 Гбит/с до 3,2 Гбит/с. Для сравнения, нынешняя память DDR3 обеспечивает скорости до 1,6 Гбит/с, а DDR2 — до 800 Мбит/с.

С анонсом DDR4 от Samsung совпала публикация отчета компании iSuppli, свидетельствующего о продолжении снижения цен на динамическую оперативную память, которые в декабре достигли самой низкой отметки за весь прошедший год. По сведениям iSuppli на 10 декабря, стоимость контрактного производства модуля DRAM DDR3 емкостью 2 Гбайт составляла 21 долл., что на 50% дешевле, чем за полгода до этого. Снижение цен затронуло не только DDR3. По данным iSuppli, стоимость модуля DDR2 в декабре опустилась до 21,50 долл., тогда как еще в июне она составляла 38,80 долл.

«Цены на динамическую память в целом падали из-за вялого спроса на персональные компьютеры, особенно в первой половине 2010 года, а также в связи с увеличением поставок памяти массового спроса и последующим значительным ростом поставок памяти в битовом выражении во втором полугодии», — полагает Майк Ховард, главный аналитик iSuppli.

Как утверждают в Samsung, модуль нового типа обладает вдвое большей производительностью, чем имеющаяся на рынке память DDR3, и потребляет на 40% меньше электроэнергии

По прогнозу Ховарда, коллапс цен на DRAM ничто не сможет остановить, и когда расценки на DDR3 опустятся до доллара за гигабайт, производителям придется уменьшать объемы выпуска, чтобы себестоимость производства не превысила цену продажи.

Снижение цен подтверждают и в тайваньской компании DRAMeXchange, аналитики которой сообщили, что после новогодних праздников из-за избытка поставок цены на микросхемы памяти достигли нижней отметки за последние двенадцать месяцев.

«Появление нашего модуля DDR4 будет способствовать укреплению доверия к основанной на передовых технологиях экономичной памяти Samsung, в особенности когда мы представим четырехгигабитные чипы DDR4, предназначенные для широкого круга применений, которые будут изготавливаться по техпроцессу следующего поколения», — полагает Тон Су Чун, президент подразделения Samsung по памяти.

При напряжении питания 1,2 В модуль DDR4 Samsung обеспечивает скорость передачи данных 2,133 Гбит/с. Для сравнения, модули DDR3, изготовленные по 30-нанометровому процессу, при напряжении питания 1,35 и 1,5 В передают данные на скорости до 1,6 Гбит/с.

Как заявляют в Samsung, при использовании в ноутбуках модуль DDR4 потребляет на 40% меньше электроэнергии, чем модули DDR3 с напряжением питания 1,5 В. Это достигается за счет использования Pseudo Open Drain — новой технологии, благодаря которой памяти DDR4 при считывании и записи данных требуется вдвое меньший ток, чем DDR3.

Как сообщили в Samsung, в конце декабря компания предоставила небуферизованные модули DIMM DDR4 емкостью 2 Гбайт одному из производителей контролеров памяти для тестирования. В Samsung планируют совместно с группой производителей серверов оказывать содействие в ратификации технологий DDR4 советом JEDEC Solid State Technology Association — организацией, отвечающей за стандарты в области электроники.


Теги: