Компания Samsung Electronics представила первую микросхему памяти DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит. При ее производстве будет применяться литографический процесс с нормой проектирования 50 нм. Новый чип, вдвое превосходящий своих предшественников по плотности размещения элементов, позволяет выпускать модули памяти объемом до 32 Гбайт.
Появление микросхем памяти DDR3 емкостью 4 Гбит с пониженным энергопотреблением позволит владельцам центров обработки данных сократить затраты за счет уменьшения количества размещенных там систем хранения, улучшения управления машинным временем и повышения общей эффективности.
В сентябре в Samsung анонсировали разработку первой в мире микросхемы DDR3 DRAM емкостью 2 Гбит, изготовленной по технологии 50 нм. Теперь данный технологический процесс используется при создании целого ряда высокопроизводительных продуктов DDR3, в которых применяются чипы на 4, 2 и 1 Гбит.
"Мы выходим на рубеж, за которым открывается существенная экономия для покупателей серверов и для компьютерного рынка в целом", -- заявил вице-президент компании Samsung Semiconductor Кенин Ли.
Аналитик исследовательской компании Convergent Semiconductors Боб Мерритт заметил, что появление микросхем памяти с более высокой плотностью размещения элементов должно повлечь за собой существенную экономию для конечных потребителей, поскольку производители компьютеров также будут закупать необходимые им компоненты по более низким ценам. Значительное увеличение плотности элементов энергонезависимой памяти привело к снижению объемов продаж микросхем памяти, однако, делая серьезную заявку на лидерство в данном сегменте рынка, Samsung может претендовать в перспективе на большую долю рыночного пирога. Аналитики ожидают, что заметное оживление рынка произойдет в следующем году.
"Цикличность продаж наблюдалась в отрасли и раньше, а начало очередного цикла, как правило, сопровождалось заметными изменениями в рейтинге производителей, -- отметил Мерритт. -- Появление инновационных решений Samsung свидетельствует о том, что конец света для отрасли DRAM еще не наступил".
В течение последних двух лет происходило значительное падение цен на память DRAM. Объяснялось это затовариванием рынка чипами высокой плотности, которые создавались на 300-миллиметровых подложках. Падение цен привело некоторых производителей (в частности, компанию Qimonda) к банкротству.
"Внедрение высокоэффективных производственных мощностей и методов сопровождалось падением спроса", -- пояснил Мерритт.
По оценкам IDC, на долю DDR3 DRAM в нынешнем году придется 29% от общего объема продаж на рынке памяти DRAM, а в 2011 году она вырастет до 75%. Продажи микросхем DDR3 емкостью 2 Гбит и выше составят 3% от общего оборота рынка DRAM в 2009 году и 33% - в 2011-м.
Максимальная пропускная способность чипов DDR3 составляет 1,6 Гбит/с. На базе 4-гигабитных микросхем DDR3 будут выпускаться двусторонние модули памяти объемом 16 Гбайт для серверов, небуферизованные модули DIMM объемом 8 Гбайт для рабочих станций и настольных ПК, а также компактные модули DIMM на 8 Гбайт для портативных компьютеров.
Напряжение питания микросхем DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит составляет 1,35 В, что позволяет увеличить их пропускную способность на 20% по сравнению с предшественниками, подключавшимися к напряжению 1,5 В. В модуле объемом 16 Гбайт благодаря увеличенной плотности размещения элементов на 4-гигабитных микросхемах DDR3 при определенных условиях уровень энергопотребления можно снизить на 40% по сравнению с 2-гигабитными моделями.