Найден материал для оптоэлектроники, превращающийся в полупроводник при «легировании» электричеством




09:33 17.03.2014 |   1398



Исследователи из МТИ также продемонстрировали основные оптоэлектронные устройства из диселенида вольфрама — фотодетекторы, фотоэлектрические элементы и светодиоды.

Светодиод из пластины диселенида вольфрама
Светодиод из пластины диселенида вольфрама (прямоугольник в центре) с подведенными к нему золотыми проводниками. Источник: Britt Baugher, Hugh Churchill

Сразу три группы ученых, в том числе одна из Массачусетского технологического института, опубликовали доклады, посвященные свойствам диселенида вольфрама — материала толщиной в несколько атомов, перспективного с точки зрения изотовления сверхтонких, легких и гибких оптоэлектронных устройств.

Ученые МТИ, в частности, сообщили об изготовлении из этого материала диода. Обычно полупроводник получают с помощью необратимого процесса — легированием исходного материала атомами другого. Разные комбинации материалов позволяют получить полупроводник p- или n-типа.

Но селенид вольфрама можно заставить работать на перенос заряда электронами или дырками просто если разместить его тончайшую пленку в тесном соседстве с металлическим электродом и поменять полярность напряжения на нем, утверждают исследователи. По их словам, в ходе экспериментов они получили диод, очень близкий к идеальному, — «полупроводниковое устройство, электрически легированное так, что оно было наполовину p-, наполовину n-типа».

Исследователи из МТИ также продемонстрировали основные оптоэлектронные устройства из диселенида вольфрама — фотодетекторы, фотоэлектрические элементы и светодиоды. Последние, по словам ученых, в теории можно получить с любым цветом свечения, учитывая, что у нового материала можно варьировать ширину запрещенной энергетической зоны.


Теги: