Арсенид индия-галлия обещает выполнение закона Мура после достижения физических пределов кремния

Электронная микрофотография нового транзистора. Источник: Jesús del Alamo, Jianqian Lin, Dimitri Antoniadi

Господству кремния в мире микросхем бросает вызов арсенид индия-галлия: из этого соединения в Массачусетском технологическом институте при финансовой поддержке агентства перспективных оборонных исследований DARPA создали рекордно малый транзистор — длина его затвора всего 22 нм. С достижением нанометровых размеров кремниевых транзисторов ток, который они вырабатывают, уменьшается, начиная накладывать ограничения на скорость работы, из-за чего есть опасения, что выполнение закона Мура остановится. Поэтому изучаются альтернативы кремнию, способные вырабатывать больший ток при меньших размерах; одна из них — арсенид индия-галлия. До сих пор, однако, транзисторы достаточно малых размеров из него формировать не удавалось.

Специалисты МТИ продемонстрировали возможность изготовления из арсенида индия-галлия нанометровых транзисторов МОП-структуры (MOSFET), широко применяемых в микропроцессорах, с помощью сочетания ряда методов, традиционно используемых в полупроводниковой индустрии. По утверждению ученых, их транзистор обладает прекрасными характеристиками, обещая продолжить действие Закона Мура после достижения физических пределов возможностей кремния. Исследователи собираются дальше уменьшать размер элемента, чтобы изготовить транзистор с длиной затвора меньше 10 нм.