10:00 15.08.2011 |   1157



В Samsung Electronics объявили о приобретении компании Grandis, специализирующейся на разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). В перспективе технология энергонезависимой памяти Grandis может составить конкуренцию оперативной памяти DRAM и флэш-памяти NAND. По сравнению с микросхемами DRAM и NAND память MRAM обладает более высокой производительностью и потребляет меньше электроэнергии. Но для организации массового производства она пока стоит слишком дорого. Компания Grandis была основана в 2002 году, и на сегодняшний день в ее штате насчитывается 25 сотрудников. В прошлом году Grandis по соглашению с компанией Hynix Semiconductor выпустила свой первый чип по технологии 54 нм. Ожидается, что в ближайшие пять лет норма проектирования при производстве микросхем памяти уменьшится до 20 нм или даже еще сильнее. Технология Grandis отлично подходит для производства обычной памяти, позволяя увеличить плотность размещения элементов на микросхеме. До последнего времени минимальная норма проектирования при изготовлении обычных микросхем MRAM составляла 99 нм.


Теги: